区分为 低VDSS/中VDSS／高VDSS MOSFET产品和不同封装组合，其产品特点是高速度、高性能、低损耗、低导通电阻。

功率开关介绍

功率MOSFET是针对所有这些设计的典型首选开关技术，因为它可提供简单的驱动选项，可在高电压和高频率条件

下进行高效切换。在大多数此类应用中，额定值600V通常是作为保证安全处理高电压瞬变的充分上限范围。

通过最大限度降低损耗（大体上分为传导损耗和开关损耗），MOSFET有助于提高整体效率。低导通电MOSFET

（RDS(ON)）最大限度降低了导通损耗。单位面积导通电阻（RDS(ON)·A）是MOSFET的其中一项品质因子；如果

RDS(ON)·A可以减小，则意味着更小的瞬变的充分上限范围。RDS(ON)器件可以被安装至相同的封装尺寸中，从而可提高效率。MOSFET的开关损耗主要是与其寄生电容有关，所以最大限度减小寄生电容即可提高开关效率。即便整体效率有微小的提高，也意味着可为既定应用选择更小的开关电源。我们考虑的另一个重要因素是MOSFET的栅极电荷“QG”，它表示开关器件所需要的能量。如果QG很低，可使用较高的开关频率，同时最大限度减小某些外部滤波组件的大小。栅极驱动电路中的损耗也下降。但是，低QG器件往往具有更高的RDS(ON)；鉴于这个原因，通常引用RDS(ON)·QG作为品质因子。对于希望消费产品的使用寿命大于典型使用寿命的系统而言，MOSFET可靠性也是非常重要的考虑因素。举例而言，光伏逆变器或工业电机控制系统有望持续使用10、15或20年（或更久）。另外，对于器件的要求可能还包括在极端温度下（例如在恶劣的工业环境中）保持良好的性能，或在所有气候条件下都能保持稳定的输出。

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